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VMMK-1218-TR1G库存信息

更新时间:2020-09-26 10:00:00
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VMMK-1218-TR1G中文资料

功能描述:射频GaAs晶体管 LNA FET in Microcap DC-18GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:

VMMK-1218-TR1G PDF资料

型号: VMMK-1218-TR1G 前往资料站下载: 下载
原厂全称: Avago 原厂简称: AVAGO
页数: 12 文件大小: 818 /kb
说明: 0.5 to 18 GHz Low Noise E-PHEMT in a Wafer Scale Package